近日，美国导弹防御局（MDA）授予美国雷神公司一份合同，研究砷化镓（GaAs）向氮化镓（GaN）转换工艺，以将GaN器件用于目前和未来AN/TPY-2雷达。将GaAs产品转换成GaN产品将使弹道导弹防御雷达进一步现代化，减缓系统过时报废。通过该合同，雷神公司将重新装备位于马萨诸塞州的GaAs单片微波集成电路（MMIC）制造工厂，为AN/TPY-2雷达制造GaN产品。

雷神公司综合防御系统任务系统和传感器业务副总裁DaveGulla表示，“与GaAs相比，GaN器件具有显著的、成熟的优势。通过该项目，雷神将研发清晰的AN/TPY-2雷达现代化升级方法，使该系统能够更好的保护国内外人们和关键设施不受弹道导弹威胁。”

雷神公司导弹防御部门主管JimBedingfield表示，“采用能效更高的GaN替代传统GaAs，能够提升现有雷达监测范围至50%，提高不同目标的分辨率，或监测物的体积降低1/5。”

雷神公司开发的其他军用雷达已证明，GaN能够提高雷达探测范围，增强探测和辨别能力，降低生产成本。

9月份，美国诺格公司向美国海军陆战队出售了其第一个GaN雷达，地面/空中任务定向雷达（G/ATOR）AN/TPS-80。

美国最大国防合同商洛马，已向罗马尼亚和拉脱维亚出口了地基GaN雷达AN/TPS-77。

去年，洛马就曾被授予合同，为太空栅栏项目制造用于轨道危害物跟踪的GaN雷达，并为MDA制造GaN远程识别雷达（LRDR）。

目前装备的AN/TPY-2雷达采用基于GaAs的收发模块来发射高功率辐射。雷神公司和MDA正在想办法利用GaN器件。雷神公司除升级AN/TPY-2外，还将为广泛出口的爱国者导弹防御系统提供GaN雷达升级。

GaN雷达动向清晰表明，军用雷达产业正转向新的黄金法则——曾经不起眼的材料——GaN。GaN是一种高效率半导体，能够使雷达发射机使用较少电力的情况下发射功率更大。产业顾问LorenThompson曾说，“GaN是即硅之后最重要的材料。”

诺格开始生产GaN基G/ATOR雷达系统GaN市场将在商用需求下快速发展

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